Investigadores de la Universidad de Rice (Texas, Estados Unidos) se encuentran en una fase avanzada de un experimento que busca dotar de una capacidad de almacenamiento sin precedentes a los teléfonos inteligentes de nueva generación.

Los responsables del proyecto se encuentran desarrollando una variante de la memoria experimental RRAM (Resistive random-access memory), la cual ofrece mayor capacidad, menor tamaño, y mejor eficiencia. El mayor reto al que tenían que enfrentarse los investigadores es encontrar una manera sencilla y barata de construir esta nueva memoria.

Aparentemente, los miembros de la Universidad de Rice ya han conseguido eludir el problema  utilizando muchas capas de dióxido de silicio con series de pequeños poros de 5 micras, colocados entre las capas de metales de un chip. Cuando el mecanismo recibe tensión eléctrica, el metal acaba migrando a los poros del dióxido de silicio, creando un chip de memoria estable y barato de construir que cuenta con capacidades por encima de los modelos actuales.

RRAM-02

Teóricamente las memoria RRAM pueden llegar a guardar hasta 1 TB de información en chips del tamaño de un sello postal, y serían hasta 100 veces más rápidas que las memorias actuales. Con esta tecnología sería posible guardar información mucha más información, como cientos de películas, miles de discos e información multimedia diversa en smartphones.

Si bien este logro puede facilitar la fabricación de la memoria RRAM (algo en lo que varias empresas han estado trabajando desde el 2012), aún falta tiempo para ver este tipo de tecnología dentro los aparatos comerciales, pues quedan algunos obstáculos técnicos que deberán superarse antes de comenzar su comercialización masiva.

vía MIT Technology Review

fuente Universidad de Rice

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